一种大功率半导体激光器芯片用冷却热沉装置

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一种大功率半导体激光器芯片用冷却热沉装置
申请号:CN202411609507
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119481940A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种大功率半导体激光器芯片用冷却热沉装置,涉及光电子散热与封装技术领域。本发明包括:下热沉,下热沉具有相对布置的第一端与第二端,其内部开设有水冷通道;激光芯片,激光芯片固定在对应水冷通道处的下热沉顶部,其的出光方向沿下热沉第一端与第二端方向布置;支撑座,支撑座固定在下热沉顶部且对应激光芯片一侧;上热沉,上热沉固定在支撑座顶部且其内部开设有气冷通道,气冷通道的出气端对应激光芯片顶面。本发明通过气冷通道向激光芯片顶面吹气,以带走激光芯片顶部的热量,水冷通道贴近激光芯片底面以带走激光芯片底部的热量,保证芯片各部位均匀散热,防止温度不均而影响激光芯片的输出功率与寿命。
技术关键词
热沉装置 芯片 激光 通道 进气端 供气设备 水冷 支撑座 除尘 焊料 无氧铜 绝缘材料 涂覆 寿命 螺旋
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