一种垂直结构LED芯片及其制造方法

本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述制造方法包括外延生长、第一轮光刻加工、共晶键合、衬底剥离、第二轮光刻加工和芯片分割；其中，衬底剥离后获得预处理结构，N‑GaN层显露于所述预处理结构的表面；所述第二轮光刻加工包括：刻蚀显露出的所述N‑GaN层形成N孔保护结构；对形成所述N孔保护结构的N‑GaN层表面进行粗化处理。本发明通过在N‑GaN层形成N孔保护结构，可以有效保护P‑GaN面加工形成的孔道，有利于降低垂直结构LED芯片的漏电风险。