一种基于三乙基铝的Micro LED巨量键合方法

本发明属于Micro LED显示技术领域，具体为一种基于三乙基铝的Micro LED巨量键合方法；该方法包括将三乙基铝溶液均匀涂覆在目标基板表面，形成一层均匀的三乙基铝薄膜，然后将涂覆有三乙基铝薄膜的目标基板与Micro LED芯片进行键合；通过激光加热，使三乙基铝在100℃到200℃的温度范围内迅速分解，生成挥发性化合物，从而释放Micro LED芯片；本发明的三乙基铝牺牲材料具有良好的粘接力、较低的分解温度和对激光的高敏感性，能够有效提高Micro LED芯片的转移成功率。