半导体封装及其形成方法

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半导体封装及其形成方法
申请号:CN202510415221
申请日期:2025-04-03
公开号:CN120977957A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种半导体封装及其形成方法。一种半导体封装包括基板内的贯通电极。布线结构设置在基板上并且包括芯片焊盘和保护绝缘层。突起图案设置在保护绝缘层上。正面接合绝缘层设置在布线结构上。突起图案设置在正面接合绝缘层内。正面接合焊盘设置在正面接合绝缘层内并且连接到芯片焊盘。
技术关键词
半导体封装 布线结构 正面 焊盘 半导体芯片 图案 基板 划片工艺 电极 开槽工艺 保护环 凹槽 激光
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