一种MEMS芯片结构及刻蚀方法

本发明涉及半导体MEMS芯片工艺技术领域，尤其涉及一种MEMS芯片结构及刻蚀方法，芯片结构包括石英，石英表面形成金属Cr，在金属Cr表面形成无机化合物，无机化合物在金属Cr上形成掩膜；刻蚀方法包括以下步骤：在金属Cr上生长无机化合物后，首先光刻蚀部分无机化合物，形成刻蚀槽，然后利用剩余无机化合物干法刻蚀金属Cr，最后采用湿法将余硅泡掉。本发明MEMS芯片结构及刻蚀方法，在金属Cr上生成一层无机化合物作为掩膜，对金属Cr进行干法刻蚀时，氯气和氧气与无机化合物不会发生反应，可以消除金属层产生的阳角，尽量保证角度垂直，有利于获取高精度的MEMS芯片。