一种磁场传感器芯片及其制造方法

本发明公开了一种磁场传感器芯片，涉及磁场传感器领域，磁场传感器芯片包括塑封地板层；导磁结构层，设置于所述塑封地板层的上侧；磁敏感薄膜器件，设置于所述导磁结构层的上侧，所述磁敏感薄膜器件自下而上包括衬底、底电极层、TMR功能层、顶电极层，钝化层、种子层和溅射导磁层；封装外壳层，设置于所述导磁结构层的上侧且之间填充有保护物。本发明采用宽量程磁敏感薄膜结构，在双导磁层的作用下进一步拓宽该器件的线性区间，实现2000Gs内线性度内优于0.5％的磁线性测量区间和优于0.1Gs的磁测试精度，大幅提升隧穿磁阻TMR磁敏感器件的测量范围，并利用其高精度的特性提升同类产品在相同区间内磁场测量的精度。