一种高速VCSEL芯片及制作方法

本发明提供了一种高速VCSEL芯片及制作方法，属于半导体技术领域，包括GaAs衬底，所述的GaAs衬底上依次设有n‑DBR、量子阱有源区、p‑DBR、p‑In0.49Ga0.51P内腔接触层和u‑DBR；本发明减少了p‑DBR的串联对数，降低了芯片的串联电阻，使得在制作小氧化孔径芯片时，其电阻依旧保持在合理水平，芯片可靠性和高温性能较优；p‑In0.49Ga0.51P内腔接触层的带隙宽度1.88eV，比GaAs的1.42V大得多，去掉了在850nm波段光吸收的负面效果；出光口处保留的u‑DBR台面，使得基模和高阶模之间有较大的阈值增益差。此外较厚的p‑In0.49Ga0.51P内腔接触层处依旧有一定的光场强度，进一步加大了高阶模式的损耗，使得芯片可以稳定的工作在基模下，调制带宽大大增加。