改善外延晶圆品质的方法、装置,及外延晶圆和其制造方法

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改善外延晶圆品质的方法、装置,及外延晶圆和其制造方法
申请号:CN202411626173
申请日期:2024-11-14
公开号:CN119673751B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种改善外延晶圆品质的方法、装置,及外延晶圆和其制造方法。该改善外延晶圆品质的方法包括:将外延晶圆的表面缺陷的位置与外延工艺设备中的接触部件的接触位置进行匹配,获得与接触部件的接触位置相匹配的第一表面缺陷;获取第一表面缺陷的形貌和类型;根据第一表面缺陷的形貌和类型以及外延晶圆的外延层厚度,确定接触部件的改善手段以降低第一表面缺陷的数量。
技术关键词
接触部件 外延 检测缺陷 工艺设备 缺陷尺寸 层厚度 机械手 晶圆衬底 机器人 多晶硅 存储器 处理器 晶面 抛光 指令
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