一种低功耗芯片的漏电流测试分析方法及平台

本发明公开了一种低功耗芯片的漏电流测试分析方法及平台，属于半导体测试领域，其中方法包括：采集目标低功耗芯片的芯片特征数据确定目标低功耗芯片的多个环境参数测试范围和工作电压测试范围；生成环境测试序列、电压测试序列，组合环境测试序列和电压测试序列，生成自适应测试方案；基于自适应测试方案构建漏电流数据矩阵；获取第一分析结果；获取第二分析结果；基于第一分析结果和第二分析结果获取目标低功耗芯片的漏电流特性评估结果。本申请解决了现有技术中漏电流测试条件单一、难以全面评估低功耗芯片在多环境参数和电压条件下特性，从而导致测试结果准确性和适用性不足的技术问题。