一种IGBT芯片及其栅极耐压工艺制造方法

本发明提出一种IGBT芯片及其栅极耐压工艺制造方法，包括：对当前批次的IGBT晶圆进行p型离子注入工艺；对p型离子注入工艺后的IGBT晶圆进行p型离子退火工艺，p型离子退火工艺条件为1150℃/70min/N2+O2；对p型离子退火工艺后的IGBT晶圆进行后续的流片工艺。在PBODY IMP Drive in工艺中通入氧气组分，确保一定程度上修复PBODY IMP工艺中造成的膜层表面缺陷，进而提高IGBT产品的栅极耐压能力。该IGBT芯片栅极耐压工艺制造方法简单高效，且易实现的提升IGBT芯片栅极耐压能力，有效地将IGBT产品栅极耐压能力提高了约30%。