一种防反接电路应用中解决latchup的系统及方法

本发明公开了一种防反接电路应用中解决latchup的系统及方法，涉及集成电路技术领域，包括：高压PMOS管M0、高压NMOS管M1、高压NMOS管M2以及POLY电阻Rlatchup和POLY电阻RM2，所述高压PMOS管M0由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、浅N阱构成，所述高压NMOS管M1由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、高压N阱构成，所述高压NMOS管M2由P型衬底、N型埋层、深高压P阱、深高压N阱、高压N阱构成，所述POLY电阻和POLY电阻RM2由常规P型POLY电阻构成，本发明提供了一种防反接电路应用中解决latchup的方法，通过在高压NMOS管的D电位和高压NMOS管的D端之间串联POLY电阻和在高压NMOS管的深高压P阱上串联POLY电阻限制NPN的电流，进而降低从VCC到GND的功耗来达到保护芯片的目的。