一种碲镉汞薄膜的少子扩散长度测量方法

本发明涉及一种碲镉汞薄膜的少子扩散长度测量方法，包括：设计具有不同数量、不同形状像元阵列；在碲镉汞薄膜材料上制备像元阵列并引出到测试管脚；在均匀入射光下，利用测试管脚测量全部阵列的总光电流；计算像元阵列扩展后的总载流子收集区域面积；建立基于扩展载流子收集区域的总光电流计算模型；根据阵列参数和光电流测试结果拟合计算模型，获得少子扩散长度。本发明提出的少子扩散长度测量方法，可以应用于历经多步材料芯片工艺、具有复杂像元结构的碲镉汞红外芯片，为碲镉汞红外薄膜的材料表征提供了一种简单快捷、普适性强的方法。