一种芯片封装结构的制备方法

本发明涉及一种芯片封装结构的制备方法。芯片封装结构的制备方法包括：在硅片一侧表面上形成多个延伸至硅片内部的孔洞；用导电材料填充孔洞，形成多个金属柱；去除部分高度的硅片，暴露出的部分金属柱作为目标金属柱，未暴露的部分金属柱作为内部金属柱；在多个目标金属柱之间的硅片表面贴装硅桥结构；在硅桥结构背向硅片的一侧和目标金属柱背向硅片的一侧形成第一重布线层；第一重布线层连接硅桥结构和目标金属柱；在第一重布线层背向硅片的一侧倒装设置多个芯片。本发明提供的芯片封装结构的制备方法可以制备高度与直径比例较高、稳定性较高的金属柱和目标金属柱，实现芯片与目标金属柱的高密度互连，提高芯片封装良率和芯片封装结构的集成度。