一种提高发光效率的芯片结构及其制备方法

本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种提高发光效率的芯片结构及其制备方法，该提高发光效率的芯片结构，包括基板，第一半导体层，有源层，第二半导体层，第一导电层，反射层，介质层，第一绝缘层，第二绝缘层，第二导电层，第三绝缘层，焊盘，贯穿所述第二半导体层及所述有源层，并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷；所述介质层覆盖于所述反射层以及第一绝缘层表面，介质层一侧接触反射层和第一绝缘层，另一侧接触第二绝缘层，形成夹心结构；该提高发光效率的芯片结构，能够有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移，提高器件的稳定性，同时，介质层采用的材料吸光系数较小，折射率高，可以提高全反射效率，从而提高器件发光效率。