半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

本发明涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有第1芯片、及与所述第1芯片贴合的第2芯片。所述第2芯片具有积层体、柱状体、半导体层、第1布线及第2布线。所述柱状体包含至少到达所述积层体的第1端的第1端部。所述半导体层包含第1半导体部、第2半导体部及第3半导体部。所述第1半导体部包含沿着所述积层体的所述第1端而配置的第1部分、及覆盖所述柱状体的所述第1端部的第2部分。所述第1半导体部及所述第2半导体部包含形成p型半导体的杂质。所述第3半导体部包含形成n型半导体的杂质。第1栅极电极层包含从第1方向观察时，与所述第1半导体部重叠的部分。