用于减少泄漏和平面面积的平面互补式金氧半场效晶体管结构

本发明公开一种平面互补式金氧半场效晶体管结构，用在动态随机存取内存芯片的外围电路中和动态随机存取内存芯片的数组核心电路的感测放大器中，该平面互补式金氧半场效晶体管结构包括：一平面P型金氧半场效晶体管，具有一第一导电区；一平面N型金氧半场效晶体管，具有一第二导电区；以及一交叉状局部隔离区，位在平面P型金氧半场效晶体管与平面N型金氧半场效晶体管之间；其中，交叉状局部隔离区包含一水平延伸隔离区，水平延伸隔离区接触第一导电区的底侧和第二导电区的底侧。本发明也可以类似地应用在互补式金氧半逻辑电路的晶体管。