一种低回损探测器芯片

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一种低回损探测器芯片
申请号:CN202411648628
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119521862A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种低回损探测器芯片,涉及光通信技术领域,包括衬底、外延层、金属电极、反射槽,所述衬底为IV族,III‑V族,II‑VI族等半导体材料,通过在背面衬底腐蚀出反射槽,使得入射到衬底的光无法沿原路返回到光源,从而达到减小探测器回损的目的,适用于对回损要求较高的应用。
技术关键词
探测器 衬底 金属电极 半导体材料 芯片 外延 光通信技术 有源区 光源
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