一种高出光率Micro-LED的制备方法

本发明涉及Micro‑LED效率优化及显示领域，特别是涉及一种高出光率Micro‑LED的制备方法，包括以下步骤：S1、在外延片顶部生长一层刻蚀掩膜层；S2、在刻蚀掩膜层顶部旋涂一层光刻胶，随后光刻，形成微图案；S3、刻蚀所述刻蚀掩膜层；S4、刻蚀Mesa结构；S5、清洗残余的光刻胶；S6、清洗残余的刻蚀掩膜层；S7、烘干备用；S8、制备KOH溶液，将制备好的器件放入KOH溶液中浸泡，本发明通过KOH溶液化学腐蚀的方法处理Micro‑LED芯片的侧壁，从而提高Micro‑LED芯片的出光效率，进而提高Micro‑LED芯片的发光效率，且该方法使用成本低，操作简便，便于推广。