摘要
本发明涉及一种湿法腐蚀过程中芯片正面结构的保护方法,所述保护方法是使用ProTEK胶对芯片正面金属材料层结构及其它敏感结构,包括如下步骤:检查晶圆材料片,旋涂Primer粘附剂/底漆,固化,冷却处理,旋涂ProTEK胶,固化,而后传送至冷板进行冷却处理,完成对芯片正面结构保护工艺方法。本发明所述保护方法相比于传统的光刻胶涂层正面保护技术、热氧化层或者氮化硅层等介质层正面保护技术,具有工艺简单、高耐化学腐蚀性、高附着力、工艺兼容性优异、易涂覆、易去除且无残留、低应力、保护效果显著等优点。
技术关键词
粘附剂
保护方法
底漆
正面
敏感结构
旋涂工艺
芯片
乙氧基丙酸乙酯
金属材料
热板
光刻胶涂层
钝化保护层
高耐化学
单晶硅衬底
晶圆
涂覆工艺
无残留
氮化硅
丙醇
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