晶圆的缺陷检测方法及装置

本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。晶圆的缺陷检测方法，包括：获取每片晶圆表面的缺陷数据，缺陷数据包括缺陷位置坐标、缺陷的尺寸和缺陷类型；将多片晶圆的缺陷数据进行叠加，生成多片晶圆的综合缺陷分布图；利用空间聚类算法对综合缺陷分布图进行分析，判断综合缺陷分布图是否存在COP缺陷分布模式；若综合缺陷分布图存在COP缺陷分布模式，利用缺陷识别模型根据缺陷分布密度、缺陷的尺寸和缺陷的分布规律计算多片晶圆的风险分数；将多片晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较，如果风险分数大于预设的风险阈值，将多片晶圆判定为存在COP缺陷。本发明能够识别晶圆的COP缺陷。