一种集成MEMS芯片及其制造方法

本发明的实施例公开了集成MEMS芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供第一衬底和第二衬底；制作覆盖第二衬底的一侧表面的电气互连结构；在电气互连结构上开设第一通气孔或制作覆盖第一衬底的一侧表面的辅助开孔结构，在辅助开孔结构上开设第一通气孔。在第一衬底上制作传感器结构，传感器结构与电气互连结构之间有活动间隔，活动间隔和活动凹槽共同构成了相对应的传感器结构的形变空间。每个第一通气孔均具有相对应且连通的第二通气孔。本申请能通过相连通的第二通气孔和第一通气孔调节相对应的形变空间的气压，并在气压调节后封堵第一通气孔和第二通气孔，使得形变空间中的气压维持在预设气压。