一种提升SiC晶圆片内阈值电压一致性的方法

本发明公开了一种提升SiC晶圆片内阈值电压一致性的方法，该方法包括：对SiC晶圆中的每个芯片进行测试，得到测试参数，并对测试参数进行分析，得到阈值电压参数差异分布图，其中，测试参数包括每个芯片的坐标以及每个芯片的阈值电压；对阈值电压参数差异分布图进行分析，得到掩膜区域和非掩膜区域，并计算掩膜区域和非掩膜区域之间的阈值电压差值；基于掩膜区域，制作阈值电压掩膜板；在制造SiC晶圆流片的过程中，在SiC晶圆流片完成第零层之后，使用阈值电压掩膜板做掩蔽，并根据阈值电压差值往SiC晶圆流片中未被阈值电压掩膜板掩蔽的区域注入相应剂量的P型元素。本方法提升了晶圆外缘处的阈值电压，最终提升晶圆片内阈值电压一致性。