基于MEMS工艺和F-P腔原理的波长调制型光学差压变送器

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基于MEMS工艺和F-P腔原理的波长调制型光学差压变送器
申请号:CN202411675701
申请日期:2024-11-22
公开号:CN119178547A
公开日期:2024-12-24
类型:发明专利
摘要
本发明属于光学传感技术领域,具体涉及一种基于MEMS制作工艺和光纤F‑P腔原理的波长调制型光学差压变送器。包括差压传感器、全光谱分析仪,差压传感器和全光谱分析仪以分体方式通过光纤光缆连接组合在一起。本发明的有益效果在于:(1)本发明基于光纤微机电系统(MEMS)微加工技术制造的光学差压变送器,实现了光纤MEMS传感器芯片化制作,结构简单,封装集成度高,外形尺寸微型化,具有体积小、重量轻、柔软、外形可变等优点;(2)本发明提出的光学差压变送器,采用光纤F‑P平板干涉机理和膜‑岛敏感结构,具有优良线性度,分辨率高,巨大的线性动态范围实现了超高精度测量。
技术关键词
波长调制型 差压变送器 传感芯体 芯片模组 光纤光缆 差压传感器 光谱分析仪 接插件 光学接口 正压 光纤尾纤 芯片封装模组 结构件 腔体 MEMS传感器芯片 冗余智能
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