一种新型沟槽碳化硅芯片结构及制备方法

本发明公开了一种新型沟槽碳化硅芯片结构及制备方法，具体涉及半导体技术领域，包括从下而上依次设置的背面加厚金属、欧姆接触金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层。本发明提出的深度渐变的沟槽型场限环结构可以在不增加终端面积的情况下，通过变更场限环的深度，改变电场分布，提高了终端对表面电场的抑制作用，提高了芯片的反向击穿电压，且本发明提出的方法不会增加制造工序，对器件制造成本增加较小。