一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块

本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块，在多芯片并联碳化硅功率模块本体中通过铜夹扣连接组件将上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板连接，并且代替了传统铝键合线，完成碳化硅功率半导体芯片的功率源极和DBC基板的上表面金属区域间的电气互连，减小了互连部分的寄生参数，提高了互连结构的可靠性，同时为碳化硅功率半导体芯片增加了一条顶部的额外散热路径，从而增强了碳化硅功率模块的散热能力，通过调整铜夹扣的结构参数均衡了并联芯片的功率源极寄生电感，同时结合布局的对称性优化了多芯片并联碳化硅功率模块使用中存在的动态电流分配不均问题。