导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及一种导航芯片封装的静电测试方法、装置、设备及存储介质，包括以下步骤：识别所述三维封装模型是否存在缺陷信息，若存在，基于所述缺陷信息对所述三维封装模型进行缺陷类型识别和定位，得到缺陷类型及所述缺陷类型对应的缺陷位置；通过预设的静电场模拟软件对所述缺陷位置对应的静电电场分布进行仿真测试，得到电场强度分布图；基于所述电场强度分布图对所述导航芯片进行影响性能程度评估，得到导航芯片的性能影响评估等级；若所述性能影响评估等级超过预设的等级阈值，则基于所述缺陷位置的电场强度分布图及所述缺陷类型制定静电防护设计方案，解决了导航芯片的封装过程中，静电放电现象成会影响芯片性能与寿命的技术问题。