一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法

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一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法
申请号:CN202411695578
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119644219B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法,所述方法包含六个执行步骤:步骤1,输入超导磁体线圈结构;步骤2,确定抗电磁干扰线圈位置;步骤3,计算抗电磁干扰线圈匝数;步骤4,整合超导磁体线圈和抗电磁干扰线圈结构信息并计算磁场传递向量、电感矩阵、线圈面积向量;步骤5,构建以屏蔽因子为目标函数的数学优化模型并求解抗电磁干扰线圈的轴向位置;步骤6,抗电磁干扰线圈匝数整数优化并计算屏蔽因子。所述方法可应用于任意磁共振成像超导磁体的抗电磁干扰线圈设计当中,具有很好的设计灵活性和工程适用性。
技术关键词
抗电磁干扰 线圈设计方法 超导磁体线圈结构 磁共振 成像 因子 电感 矩阵 磁感应强度 超导线 数学模型 计算方法 元素 电流
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