一种针对芯片失效的后端分析方法

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一种针对芯片失效的后端分析方法
申请号:CN202411705241
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119623389A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种针对芯片失效的后端分析方法。本发明包括:步骤1:当失效芯片上的某个器件通过SPICE仿真已经确定为芯片失效关键器件后,使用FIB或者SEM设备的纳米探针对该关键器件进行隔离或者在该关键器件的端点处添加一个新器件用于后续分析。步骤2、添加新器件后,对应的阈值电压或者别的性能和期望的一样,则直接测试连接新器件后的芯片,若芯片工作符合预期,则说明就是该器件造成的芯片失效,下一版生产中修正即可。本发明不仅在仿真中验证了预估原因,同时通过硬件测试验证了预估原因,再次生产后,芯片成功的几率为99%。节省了3个月和巨大的资金花费。
技术关键词
分析方法 芯片 纳米探针 电流源 可控电压源 受控电压源 端点 关系 衬底 程序 资金 电阻 定义 电路
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