一种SiC MOSFET逆变器死区补偿方法

本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种SiC MOSFET逆变器死区补偿方法，包括步骤：S1，获取SiC MOSFET逆变器输出电流，计算SiC MOSFET逆变器过零点时的电流波纹值；S2，根据电流波纹值划分电流过零区域和电流非过零区域，当处于电流非过零区域时，在SiC MOSFET每相桥臂实行死区消除；当处于电流过零区域时，在SiC MOSFET每相桥臂实行死区补偿；并在SiC MOSFET逆变器中内置软件滤波器实时消除偶然谐波。本发明提供的方法，第一方面，采用死区分段消除与补偿相结合的混合方法,有效抑制死区效应,电流的谐波畸变率得到良好改善；第二方面，在SiC MOSFET逆变器中内置软件滤波器，不增加硬件成本，并实现根据需求选择不同的滤波算法和参数，具有较高的灵活性和可调性。