一种基于表格深度学习和模型融合的单根静电形成纳米线半导体VOCs识别方法

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一种基于表格深度学习和模型融合的单根静电形成纳米线半导体VOCs识别方法
申请号:CN202411728635
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119646742A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明属于VOCs检测技术领域,公开了一种基于表格深度学习和模型融合的单根静电形成纳米线半导体VOCs识别方法,包括:获取第一数据集,第一数据集包括待识别VOCs通过单根静电形成纳米线半导体前后背栅阈值电压的变化值、背栅亚阈值摆动的变化值和背栅源漏电流的变化值;获取第二数据集,第二数据集包括待识别VOCs通过单根静电形成纳米线半导体前后结栅极阈值电压的变化值、结栅亚阈值摆动的变化值和结栅源漏电流的变化值;将第一、第二数据集进行Stacking模型融合,得到待识别VOCs种类的最终预测结果;进行Stacking模型融合时,基模型、元模型采用表格深度学习模型。本发明将表格深度学习和模型融合相结合,提高了静电形成的纳米线(EFN)气体传感器的VOCs识别率。
技术关键词
Stacking模型 纳米线 半导体 深度学习模型 识别方法 表格 静电 数据 VOCs检测技术 电流 指示计算机执行 计算机程序产品 栅极 电压 气体传感器 处理器 识别系统 识别模块 存储装置
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