一种高性能chiplet封装实现方法

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一种高性能chiplet封装实现方法
申请号:CN202411730906
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119812105A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高性能chiplet封装实现方法,属于芯片封装技术领域,方法包括:对多个chiplet进行预处理,包括在chiplet内制作TSV,并在chiplet表面分布有金属的区域沉积一层介电材料;对基板进行预处理,包括在基板有焊盘一面沉积一层介电材料;将预处理后的chiplet与预处理后的基板键合在一起;之后在键合后的chiplet上键合另一预处理过的chiplet,形成chiplet模块;其中,键合在一起的chiplet之间依靠TSV形成信息交互;本发明可以实现高密度互连,降低时延,支持异构集成,并兼顾散热功能。
技术关键词
高性能 介电材料 散热盖 基板 芯片封装技术 高密度互连 模块 锡球 石墨烯 元器件 异构 时延 腔体
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