基于芯片封装电磁场分析仿真系统及方法

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基于芯片封装电磁场分析仿真系统及方法
申请号:CN202411731401
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119416656A
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片封装电磁场分析技术领域,特别涉及基于芯片封装电磁场分析仿真系统及方法,所述方法包括:步骤1、从数据库中获取芯片封装参数,构建芯片的电磁场模型;所述芯片封装参数包括封装结构参数和封装材料参数;步骤2、对芯片的电磁场模型进行分析,通过分析结果获取芯片内部电场和磁场的分布特征以及电流分布特征;步骤3、通过预测模型学习磁场分布特征与电流分布特征之间的关系,预测不同磁场分布情况下的电流分布;步骤4、基于预测结果调整芯片封装参数,并通过遗传算法优化封装参数,寻找最优封装参数;步骤5、对优化后的芯片封装参数进行仿真验证。
技术关键词
分布特征 仿真方法 参数 封装材料 遗传算法优化 电场 芯片封装结构 仿真系统 优化电流分布 建立关系模型 训练预测模型 构建预测模型 磁场特征 流线 多层感知器
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