IGBT二类短路过程瞬态电压和电流评估方法及装置

本申请实施例提供一种IGBT二类短路过程瞬态电压和电流评估方法及装置，方法包括：响应于IGBT芯片发生二类短路至短路电流达到峰值，根据电路参数建立集电极电流与换流回路电压的关系模型；利用芯片器件的物理特性建立集电极电流与栅极电压的关系模型；根据电容效应建立集射极电压与芯片集射极电压的关系模型；根据所述集电极电流与换流回路电压的关系模型、集电极电流与栅极电压的关系模型以及集射极电压与芯片集射极电压的关系模型确定IGBT芯片发生二类短路过程中的集射极电压和集电极电流；本申请通过获取电路参数分析IGBT二类短路瞬态电压和电流，提升了IGBT状态检测的准确性和可靠性。