具有金属结构钝化的半导体装置

本公开涉及具有金属结构钝化的半导体装置。半导体装置包括半导体衬底。金属结构被安放在半导体衬底之上，其中金属结构的金属是Cu或基于Cu的合金。钝化层被安放在金属结构之上，其中钝化层包括：第一层，包括CuSiN；和第二层，包括Si、N和H，其中，在原子数量方面，Si与N之比等于或大于3.3/4。