一种半导体器件、制备方法以及芯片

本申请提供了一种半导体器件、制备方法以及芯片，涉及半导体技术领域。包括：基底；第一沟槽栅，第一沟槽栅设置于基底内；第二沟槽栅，第一沟槽栅设置于基底内，并与第一沟槽栅间隔设置；第一导电类型源区，第一导电类型源区设置于基底内，并设置于第一沟槽栅的至少一侧，以在所述半导体器件导通时，基底中从第二沟槽栅的至少一侧通过的载流子的浓度大于，从第一沟槽栅的至少一侧通过的载流子的浓度。本申请在半导体器件导通时大部分载流子从第二沟槽栅附近流过，小部分载流子从第一沟槽栅附近流过，不会导致靠近第一沟槽栅附近的寄生晶体管导通，很大程度上解决了半导体器件在大电流密度下易发生闩锁的问题，提升了器件的可靠性。