一种研究功率半导体模块并联芯片布局均流性的仿真技术的方法

本发明为一种研究功率半导体模块并联芯片布局均流性的仿真技术的方法，包括如下步骤：1）分析IGBT功率模块的电路拓扑结构；2）搭建一个模块内部电路结构图；3）通过SolidWorks工程软件建立IGBT功率模块的三维模型，查看仿真结果并进行处理；4）把结果添加到理想电路图中产生可以反应功率模块真实情况的电路图，通过计算流经每个芯片的电流可以具体的分析并联芯片电流差异情况。5）分析最差工况条件下并联芯片的均流性差异。相较于复杂耗时的模块均流性实验测试以及需要高精度Spice器件模型的传统电路仿真，本发明可以更加清晰高效的判断功率模块并联芯片布局的均流性，并对功率模块均流性封装设计提供指导思路。