集成泵浦源的半导体激光器结构

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集成泵浦源的半导体激光器结构
申请号:CN202411817642
申请日期:2024-12-11
公开号:CN119315382A
公开日期:2025-01-14
类型:发明专利
摘要
本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种集成泵浦源的半导体激光器结构,包括:泵浦光反射腔,泵浦光反射腔的顶部内壁呈曲面形;设置在泵浦光反射腔内的多个泵浦芯片,多个泵浦芯片在泵浦光反射腔的底部内壁上沿预设圆形的圆周排布;设置在泵浦光反射腔内的增益芯片,增益芯片位于泵浦光反射腔的底部内壁上,且增益芯片位于预设圆形的圆心处,增益芯片具有朝向泵浦光反射腔的顶部内壁的工作面;多个泵浦芯片用于发出多束子泵浦光,多束子泵浦光经泵浦光反射腔的顶部内壁反射后在工作面上汇聚成圆形泵浦光斑,圆形泵浦光斑泵浦增益芯片,以使增益芯片自工作面输出激光光束。本发明至少有利于实现激光器模块的小体积、集成化以及高性能。
技术关键词
半导体激光器结构 泵浦 垂直外腔面发射半导体激光器 芯片 弧形反射镜 输出耦合镜 磷化铟 激光器模块 光束 光斑 激光器技术 砷化镓 反射膜 非球面透镜 平凹透镜 衬底 平面透镜 圆心 波长
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