一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件及其制作方法

本发明公开了一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件，首先，本发明选用传统单向SCR静电防护器件结构，在SCR器件阴极侧添加了一个N阱，形成了三阱结构，并在其中嵌入了一个带P型保护环的肖特基二极管，肖特基二极管优化了器件的触发过程，增加了额外的电流泄放路径，如此，该器件具有低触发电压高鲁棒性的特点，能有效地保护芯片的核心电路。该器件能够应用于0～5.5V工作电压的I/O端口的ESD防护。