降低小型存储芯片漏电的方法

本申请提供一种降低小型存储芯片漏电的方法，属于半导体芯片技术领域。该方法包括：获取待检测芯片对应的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据；根据原始漏电数据、当前漏电数据、预先建立的漏电分析模型以及功能测试数据，确定待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距；若是，则根据待检测芯片的剖面测量结果，确定待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间；若是，则对待检测芯片的控制管上原生的第一道氮化硅之外增长的第二道氮化硅进行侧壁加厚，并调整第二道氮化硅的刻蚀量，并对待检测芯片的调整结果进行流片验证，以得到目标调整结果。本申请可以达到抑制存储芯片中两根多晶硅之间普长的金属硅化物侧穿的效果。