背照式半导体结构键合方法及背照式图像传感器

本公开涉及提供了一种背照式半导体结构键合方法及背照式图像传感器，方法包括：提供器件晶圆及承载晶圆；器件晶圆包括器件层及位于器件层、衬底之间的外延层；器件层包括光电二极管阵列；在器件层的顶面沉积第一介质层，平坦化处理第一介质层的顶面后，获取平坦化后第一介质层的顶面的中部区域与环绕该中部区域的外围区域的高度差；于研磨后第三介质层的顶面沉积第一厚度的第四介质层；化学机械研磨处理第四介质层，去除第二厚度的第四介质层，第二厚度小于第一厚度；将研磨后第四介质层的顶面与承载晶圆的正面键合，至少可以降低键合晶圆的翘曲程度，降低键合界面的气泡数量，提高器件良率。