拉晶过程中降低气孔片发生率的方法、单晶晶棒及应用

本发明提供一种拉晶过程中降低气孔片发生率的方法、单晶晶棒及应用，涉及单晶拉晶技术领域，在装料过程中，将大尺寸硅料与小尺寸硅料以重量配比为0‑3:1‑4装填在石英坩埚中，降低硅料与硅料及硅料与石英坩埚之间的空隙，以降低气泡的产生量，使得拉晶过程中只有少量、甚至没有气泡凝固在单晶中，从而使得切片后有气孔的硅片减少，进而降低气孔片的发生率。