一种功率开关晶体管

本发明涉及一种功率开关晶体管，属于半导体功率器件领域。该晶体管包括：漂移区、半导体体区、终端耐压区、浮空电极半导体区、栅绝缘介质区、第三电极多晶半导体区、第一绝缘钝化层、第二绝缘钝化层、第二电极金属区、浮空电极金属区、第三电极金属区、第一电极半导体区以及第一电极金属区，其中，第二绝缘钝化层和第二电极表面金属层构成终端金属屏蔽结构，可以有效地消除封装引线或者铜带对功率开关晶体管芯片终端耐压区的影响，保证芯片的击穿电压不受干扰，使封装引线或者铜带的长度可以进一步缩短，甚至不用引线键合，从而减小芯片封装引线占用的面积和引线引入的寄生电感。