一种VCSEL芯片的制备方法

本发明涉及一种VCSEL芯片的制备方法，其步骤有：在衬底A正面依次生长缓冲层、停止层、N接触层、N‑DBR、有源层、P‑DBR以及P接触层；在P接触层上方做P接触金属，将外延结构刻蚀至停止层，并对其表面进行氧化；将衬底A与支撑载片正面相对进行临时键合；衬底A从背面减薄；将衬底A除外延层以外的剩余衬底和缓冲层去除；将停止层去除，得到与支撑载片临时键合的VCSEL外延层结构，露出N接触层背面；在N接触层背面制备N电极；在另一衬底B正面制备键合金属层；将N电极与衬底B正面相对，并通过键合金属层进行永久键合；进行解键合，并清洗；得到具有高效散热效果的VCSEL芯片。本方法能够在有效改善VCSEL芯片散热效果的同时，具有更小的串联电阻。