一种埋入式射频芯片封装方法及结构

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种埋入式射频芯片封装方法及结构，包括步骤：步骤S100：在玻璃基板蚀刻出框架，在所述玻璃基板上制作导电盲孔；步骤S200：在玻璃基板上制作用于埋入射频芯片的安装腔体得到玻璃核心框架；步骤S300：在玻璃核心框架底面贴设粘接层，将所述射频芯片设置在所述安装腔体内的粘接层顶面；步骤S400：在所述射频芯片的一面或两面覆盖封胶层并进行压合；步骤S500：在所述封胶层中制作与所述射频芯片的信号连接的信号导出孔。本设计中的玻璃核心框架因为低热膨胀系数和其中的快速排热的导电盲孔能保持封装体尺寸稳定，有效减少封装体的热变形。