一种第三代半导体芯片的封装结构及封装方法

本发明公开了一种第三代半导体芯片的封装结构及封装方法，封装结构包括框架载体、硅基芯片及其一种氮化镓芯片或碳化硅芯片，还包括陶瓷基板和/或电容。通过封装方法在封装后实现高性能和高可靠性的封装技术需求，提高了器件的稳定性和耐用性，确保在高压环境下依然能够稳定工作。氮化镓（GaN）混合封装器件在使用过程中能够消耗更少的能量，从而降低整体的能耗，同时高度集成的电路设计，减少了元器件的数量，使调试过程更加快速便捷，对成本优化起到了显著作用。碳化硅（SiC）混合封装器件凭借其耐高压和耐高温的特点，使器件能够在恶劣的环境中保持稳定工作，提高了整体的可靠性和寿命，在新能源汽车、光伏发电等多个领域展现出广阔的应用前景。