一种FC芯片空腔倒装内埋封装基板的加工方法及结构

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种FC芯片空腔倒装内埋封装基板的加工方法及结构，包括：S100:对来料基板的覆铜面进行蚀刻和线路制作得到第一芯板、第二芯板和第三芯板；S200:在所述第一芯板蚀刻对位靶点制得盖板层；S300:在所述第二芯板上制作安装槽制得腔体层：S400:在所述第三芯板上对应所述安装槽的FC芯片安装位置上进行点胶助焊后进行植球，并将所述FC芯片倒装敷贴在安装位置上制得芯片倒装层；S500:对照所述对位靶点将所述盖板层、所述腔体层和所述芯片倒装层依次层叠后进行压合完成所述FC芯片封装。本发明方案中FC芯片埋入腔体层内部完成封装减少封装后的体积和厚度，密闭的腔体内部坏境可以极大程度上保护芯片，且提升了信号传输的抗干扰能力。