碳薄膜与矩形槽协同作用下二次电子发射分析方法及系统

本发明涉及了二次电子发射技术领域，具体涉及了碳薄膜与矩形槽协同作用下二次电子发射分析方法及系统，方法通过构建无定形碳薄膜与矩形槽协同作用下二次电子发射数值模拟模型。电子入射无定形碳薄膜后，依第一条件定散射类型，满足则按Mott散射理论模拟弹性散射，否则依Penn介电函数模型算非弹性散射。电子运动至材料界面，若满足克服界面势垒条件则出射，计为二次电子发射并终止模拟。该模型综合多因素，精准模拟二次电子发射过程，考虑协同作用使结果更贴合实际，散射模拟精细且具针对性，合理判断电子出射与模拟终止，对材料研究与电子器件设计有重要助力，可优化材料性能、预测器件表现。