一种双弹簧针压接型IGBT及其结温感知方法

本申请属于IGBT结温感知技术领域，具体公开了一种双弹簧针压接型IGBT及其结温感知方法。其中，IGBT芯片的发射极通过发射极钼片和发射极凸台，连接至功率发射极端子；发射极凸台的对角位置设置有缺角，在缺角位置放置发射极弹簧针；发射极弹簧针一端与IGBT芯片发射极接触，另一端与栅极印制电路板上裸漏的发射极焊盘接触，进而与开尔文发射极端子相连；开尔文发射极端子和功率发射极端子用于提取IGBT芯片开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感，以便获取芯片工作状态下的结温。通过本申请可以实现压接型IGBT芯片结温的感知。