一种降低准粒子缺陷对比特影响的方法及其应用

本发明涉及量子器件领域，尤其涉及一种降低准粒子缺陷对比特影响的方法及其应用。本发明针对Xmon比特，一方面对其结构上进行了适配优化，将比特电容设计为对辐射不敏感的结构，有效抑制了Xmon比特的约瑟夫森结处准粒子的生成；另一方面采用红外屏蔽技术将太赫兹频段的吸波材料放于封装体内量子芯片的上方，可以有效改善量子芯片的电磁环境，且对于不同的量子芯片具有良好的兼容性；本项方法能够显著降低准粒子缺陷对量子比特的负面影响。