半导体结构及其制备方法、芯片和电子设备

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片和电子设备，该半导体结构包括衬底，衬底上形成有器件，衬底包括位于器件下方的目标区域，目标区域与衬底其他区域的材料晶态不同，使得目标区域产生应力，产生的应力进而能够传递至器件的沟道区，并在沟道区积累，进而提高器件沟道区载流子的迁移率。